掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响

• 作者: 刘国标 张建新 耿新华 郭群超
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 窗口材料 掺杂 等离子体发光谱
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1114-1117
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.013

摘要

研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3)3不同,B2H6作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2H6的掺入会使辉光光谱中SiH*等各种离子密度增强,而B(CH3)3作掺杂剂时,随B(CH3)3量的增加,SiH峰值增加较少,而H2*和H*的峰值会有较大幅度的提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
2	张建新	河北工业大学材料学院	45	348	10.0	15.0
3	刘国标	天津大学化工学院	4	43	4.0	4.0
4	郭群超	南开大学光电子所	4	43	4.0	4.0