未掺杂CdZnTe与掺铟CdZnTe晶体的热处理

• 作者: 张斌 李万万 桑文斌 闵嘉华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 气相掺杂 热处理 Te气氛
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1447-1452
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+2
• 字数: 3553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.019

摘要

对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片,采用在Cd/Zn气氛下,以In作为气相掺杂源进行热处理;而对于低阻In-Cd0.9Zn0.1Te晶片,则采用在Te气氛下进行热处理.分别研究了不同的热处理条件,包括温度、时间、pIn或pTe等对晶片电学性能、红外透过率以及Te夹杂/沉淀相的影响.结果表明,在Cd/Zn气氛下适当的掺In热处理和在Te气氛下适当的热处理均有效地提高了晶片的电阻率,分别达到2.3×1010和5.7×109Ω·cm,同时晶片的其他性能也得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桑文斌	上海大学嘉定校区电子信息材料系	53	535	15.0	20.0
2	闵嘉华	上海大学嘉定校区电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
3	李万万	上海大学嘉定校区电子信息材料系	12	98	6.0	9.0
4	张斌	上海大学嘉定校区电子信息材料系	72	233	8.0	13.0