槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

• 作者: 任红霞 冯倩 张晓菊 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 槽栅 MOSFET 阈值电压 解析模型
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 441-445
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.016

摘要

给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
3	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0
4	冯倩	西安电子科技大学微电子研究所	35	224	7.0	13.0