ZnO-SnO2透明导电膜的低温制备及性质

• 作者: 刘晓梅 孙征 张德恒 马洪磊 马瑾 黄树来
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 透明导电膜 ZnO-SnO2 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 1884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.011

摘要

在室温下,采用射频磁控溅射法在7059玻璃衬底上制备出ZnO-SnO2透明导电薄膜.制备的薄膜为非晶结构,并且薄膜的电阻率强烈地依赖于溅射气体中的氧分压.薄膜的最小电阻率为7.27×10-3Ω*cm,载流子浓度为4.3×1019cm-3、霍尔迁移率为20.5cm2/(V*s),在可见光范围内的平均透过率达到了90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
3	张德恒	山东大学物理与微电子学院	18	450	12.0	18.0
4	刘晓梅	山东大学计算机学院	9	128	5.0	9.0
5	黄树来	山东大学物理与微电子学院	5	72	4.0	5.0
6	孙征	山东大学物理与微电子学院	3	50	2.0	3.0