ULSI铜多层布线中钽阻挡层CMP抛光液的研究与优化

• 作者: 刘玉岭 李薇薇 檀柏梅 王新 邢哲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多层布线 化学机械抛光 阻挡层 抛光液 选择性
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1726-1729
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3264字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.035

摘要

以高浓度纳米SiO2水溶胶为磨料,H2O2为氧化剂的碱性抛光液,研究了适用于终抛铜/钽的CMP抛光液.通过调节pH值,降低抛光液的氧化,增强有机碱的作用,来降低铜的去除速率并提高钽的去除速率,得到了很好的铜/钽抛光选择性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	李薇薇	河北工业大学微电子研究所	27	172	8.0	10.0
4	邢哲	河北工业大学微电子研究所	2	13	2.0	2.0
5	王新	河北工业大学微电子研究所	43	381	10.0	17.0