GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

• 作者: 刘奕 符松 陈海昕
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CFD GaN MOCVD 数值仿真
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1639-1646
• 页数: 8页
• 分类号: O35
• 字数: 5085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.018

摘要

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符松	清华大学工程力学系	84	740	14.0	24.0
2	陈海昕	清华大学工程力学系	39	279	9.0	14.0
3	刘奕	清华大学工程力学系	33	554	11.0	23.0