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摘要:
介绍了一种预失真线性化单片电路,该电路单电源工作,采用预失真技术结合有源反馈的方法,完成了单片预失真线性化电路的研制.预失真线性化单片电路采用75mm GaAs MMIC工艺研制,芯片面积约为4mm2.结果表明,2.1GHz时此预失真单片电路可改善放大器的三阶互调分量9dB.
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文献信息
篇名 用GaAs MMIC实现2.1GHz的预失真线性化单片
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 微波单片集成电路 预失真 线性化 三阶互调功率比 邻信道泄漏功率比
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 321-324
页数 4页 分类号 TN43
字数 1935字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邵凯 18 73 6.0 8.0
2 张斌 25 123 7.0 10.0
3 许晓丽 1 0 0.0 0.0
传播情况
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2004(0)
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研究主题发展历程
节点文献
微波单片集成电路
预失真
线性化
三阶互调功率比
邻信道泄漏功率比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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