PPy/APS-SiO2纳米导电复合材料的合成与表征

• 作者: 任丽 刘盘阁 张富强 王立新
• 来源期刊: 高分子材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 聚吡咯 二氧化硅 纳米复合材料 硅烷偶联剂 电导率
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 合成实验与工艺
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 2198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7555.2004.06.014

摘要

用化学氧化聚合复合方法合成聚吡咯/二氧化硅(PPy/SiO2)纳米复合材料.首先用不同百分含量的氨丙基三乙氧基硅烷(APS)处理SiO2,然后以水为反应介质,通过化学聚合方法合成PPy/APS-SiO2纳米复合材料,并利用红外光谱、热失重、X射线光电子能谱(XPS)、透射电镜和四探针等手段进行表征.结果表明,用APS处理过的SiO2合成的复合材料PPy含量增加,且通过XPS看出PPy/APS-SiO2表面富有PPy,而PPy/SiO2表面富有SiO2.其中用1%APS-SiO2合成的复合材料电导率最高,为38.46 S/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任丽	河北工业大学高分子科学与工程研究所	75	1321	20.0	35.0
2	刘盘阁	河北工业大学高分子科学与工程研究所	29	334	10.0	17.0
3	王立新	河北工业大学高分子科学与工程研究所	24	480	10.0	21.0
7	张富强	河北工业大学高分子科学与工程研究所	3	12	1.0	3.0