衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响

• 作者: 于广辉 叶好华 李爱珍 雷本亮 齐鸣
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 衬底氮化 氢化物气相外延
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 499-501
• 页数: 3页
• 分类号: O472
• 字数: 1468字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.013

摘要

研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	34	145	8.0	9.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
3	雷本亮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
4	于广辉	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	15	32	3.0	5.0
5	叶好华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0