MgO-Al2O3-SiO2系统微晶玻璃的热处理工艺对其介电性能的影响

• 作者: 刘浩 张永爱 袁坚
• 来源期刊: 佛山陶瓷
• 关键词: 介电性能 微晶玻璃 MgO-Al2O3-SiO2
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-8236.2004.08.005

摘要

本文制备了MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃,用XRD、DTA等方法对该系统微晶玻璃材料的析晶过程进行研究,通过正交试验,讨论了热处理温度及时间对微晶玻璃介电性能的影响.结果表明:通过热处理工艺来控制晶相的析出,可以使样品的介电常数和介电损耗符合要求.获得较小介电常数的热处理制度为:核化温度750℃,核化时间1h,晶化温度1100℃,晶化时间1.5h,所获得的微晶玻璃的介电常数为6.13,介电损耗4.22×10-3+可作为绝缘体等微波介质材料使用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘浩	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	42	200	8.0	12.0
2	张永爱	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	11	94	6.0	9.0
3	袁坚	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	28	208	8.0	13.0