X射线存储材料Si4+掺杂BaFBr:Eu2+中电子陷阱的研究

• 作者: 严晓敏 余华 张丽平 熊光楠 程士明 郑震 马宇平
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: BaFBr:Eu2+ Si4+ 电子陷阱 红移 光激励发光(PSL)
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 快报
• 页码范围: 116-119
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2004.01.030

摘要

在BaFBr:Eu2+中掺入Si4+合成了一种新的X射线影像板材料,其主要光激励发光(PSL)性能,如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr∶Eu2+.用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si4+后BaFBr∶Eu2+中电子陷阱的结构,并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余华	南开大学物理学院	14	33	3.0	5.0
2	熊光楠	天津理工大学材料物理研究所	16	128	6.0	10.0
3	马宇平	天津理工大学材料物理研究所	3	14	3.0	3.0
4	郑震	天津理工大学材料物理研究所	4	18	3.0	4.0
5	张丽平	天津理工大学材料物理研究所	4	18	3.0	4.0
6	程士明	复旦大学分析测试中心	1	3	1.0	1.0
7	严晓敏	复旦大学分析测试中心	2	7	2.0	2.0