氧化锌压敏电阻的烧结行为

• 作者: 杨邦朝 禹争光
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌压敏电阻 氧分压 非化学计量比氧化物 烧结行为
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1154-1156,1160
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2004.09.022

摘要

为了研究ZnO压敏电阻组成中非化学配比氧化物对ZnO压敏电阻导电性能的影响,采用在不同氧分压条件下烧结样品以研究其烧结行为.结果表明:ZnO晶粒的电导率对数与氧分压对数成线性关系;斜率为-1/4;间隙Zn原子以一价电离Zn·I形式存在.由于CoO,MnO和NiO阳离子空位氧化物多偏析于晶界,晶界处氧的增加有利于降低压敏电阻漏电流,烧结时间从2 h延长到8 h,漏电流从5 μA/cm2降到3.6 μA/cm2.波谱分析表明:掺杂氧化物在晶界处都有偏析,ZnO晶粒中掺杂原子混溶比例不完全与掺杂阳离子半径相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	禹争光	电子科技大学微电子与固体电子学院	8	112	5.0	8.0
2	杨邦朝	电子科技大学微电子与固体电子学院	253	3422	31.0	49.0