AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应

• 作者: 仇志军 唐宁 桂永胜 沈波 郑有炓 陈敦军
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: AlxGa1-xN/GaN异质结构 二维电子气 磁致子带间散射
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 480-483
• 页数: 4页
• 分类号: O472.4
• 字数: 1791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.008

摘要

通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡.实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差.随着温度的升高,MIS振荡成为主要的振荡.由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17 K之间最为强烈,其它温度下的调制很弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑有炓	南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室	78	353	11.0	15.0
2	桂永胜	中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	仇志军	中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0