低偏置电压工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管

• 作者: 刘新宇 吴德馨 孙海锋 樊宇伟 狄浩成 王素琴 郑丽萍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 InGaP 功率双异质结晶体管 低偏置电压
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 908-912
• 页数: 5页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.005

摘要

介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP/GaAs功率异质结双极晶体管的研制.在晶体管制作过程中采用了发射极-基极金属自对准、空气桥以及减薄等工艺改善其功率特性.功率测试结果显示:当器件工作在AB类,工作频率为2GHz,集电极偏置电压仅为3V时,尺寸为2×(3μm×15μm)×12的功率管获得了最大输出功率为23dBm,最大功率附加效率为45%,线性增益为10dB的良好性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子研究所	12	45	4.0	6.0
2	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
3	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
4	郑丽萍	中国科学院微电子研究所	5	86	2.0	5.0
5	狄浩成	中国科学院微电子研究所	2	3	1.0	1.0
6	樊宇伟	中国科学院微电子研究所	3	12	2.0	3.0
7	王素琴	中国科学院微电子研究所	3	5	2.0	2.0