热氧化方法改善硅干法刻蚀波导的表面粗糙度

• 作者: 余金中 夏金松 樊中朝 陈媛媛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热氧化 光波导 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1544-1548
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 2867字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.037

摘要

提出了一种热氧化的方法来改善干法刻蚀硅波导的表面质量.通过Suprem二维工艺模拟程序对氧化过程的物理模型进行了分析.用实验证实了该方法的可行性并与模拟结果进行了比较.实验中将硅波导的表面粗糙度由65.4nm降低到了8.8nm.另外讨论了分次氧化方法的利弊.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈媛媛	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	22	263	8.0	16.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	樊中朝	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	13	220	8.0	13.0
4	夏金松	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	12	71	5.0	8.0