单晶纳米硅薄膜的制备及其场发射特性

• 作者: 丁艳芳 朱自强 李琼 王伟明 郁可
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶纳米硅 阳极腐蚀 晶向一致 场发射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 639-644
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 685字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.005

摘要

用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈100〉晶向、0.01Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜.通过SEM,TEM,XRD和Raman光谱技术分析薄膜颗粒的微细结构.实验结果表明该纳米硅薄膜由直径为10～20nm,晶向一致的颗粒紧密排列而成,具有很好的物理化学稳定性.系统研究了薄膜结构特征和溶液配比、腐蚀时间、腐蚀电流密度的关系.成功观察到该薄膜具有很好的场发射特性,在0.1μA/cm2电流密度下,其开启电场为3V/μm,接近碳纳米管的1.1V/μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱自强	华东师范大学信息学院电子系	40	272	11.0	13.0
2	郁可	华东师范大学信息学院电子系	10	60	4.0	7.0
4	王伟明	华东师范大学信息学院电子系	4	14	3.0	3.0
7	李琼	华东师范大学信息学院电子系	9	54	4.0	7.0
8	丁艳芳	华东师范大学信息学院电子系	5	16	2.0	4.0