Cu-W薄膜表面形貌的分形表征与电阻率

• 作者: 徐可为 汪渊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu-W薄膜 分形维数 功率谱密度 电阻率
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 900-904
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.03.047

摘要

磁控溅射制备铜钨薄膜,用原子力显微镜和功率谱密度法分析薄膜生长表面形貌的分形维数,发现频段的选择基本不影响分形维数与溅射时间的关系.随溅射时间延长,薄膜厚度增加,分形维数增大,电阻率随分形维数的增大而升高.分析分形维数与电阻率的关系,认为对同一物质的导电薄膜,其表面形貌与电阻率存在对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪渊	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	5	38	4.0	5.0
5	徐可为	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	238	3333	30.0	44.0