离子束刻蚀法制备大功率高效率650nm AlGaInP可见光激光器

• 作者: 侯识华 叶晓军 孙永伟 徐云 曹青 郭良 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP可见光激光器 Ar离子束干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1079-1083
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.007

摘要

用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4μm和600μm,前后端面镀膜条件为10%/90%.室温下阈值电流的典型值为46mA,输出功率为40mW时仍可保持基横模.10mW,40mW时的斜率效率分别为1.4W/A和1.1W/A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯识华	中国科学院半导体研究所	12	124	5.0	11.0
2	孙永伟	中国科学院半导体研究所	12	56	3.0	7.0
3	陈良惠	中国科学院半导体研究所	59	338	11.0	15.0
4	曹青	中国科学院半导体研究所	15	218	5.0	14.0
6	徐云	中国科学院半导体研究所	79	411	13.0	16.0
7	叶晓军	中国科学院半导体研究所	11	50	4.0	7.0
10	郭良	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0