直接串联IGBT高压变频器及与其他拓扑电路的比较

• 作者: 吴加林 吴忠智
• 来源期刊: 世界仪表与自动化
• 学科: 工学
• 关键词: 高压变频器 拓扑电路 IGBT 直接串联元件 多电平 功率单元多重化
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 19-21
• 页数: 3页
• 分类号: TN773

摘要

高压变频器一般要求输出电压为3．3kV、6kV、10kV，而现在生产的开关功率元件，开关频率高、损耗小的新型元件，一般都是用IGBT、IGCT。以IGBT为例，元件最高耐压3．3kV，按变频器设计要求．对元件选择要达到2√2U，即要求3倍额定电压，10kV的变频器就要耐压为30kV的功率元件，

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴加林		21	2	1.0	1.0
2	吴忠智	电子工业部第十一设计研究院自动化室	2	0	0.0	0.0