基于共振隧穿二极管的TSRAM设计

• 作者: 潘立阳 程玥 许军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 隧穿静态随机存储器 高速 低功耗
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 138-142
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.02.004

摘要

介绍了基于共振隧穿二极管的隧穿静态随机存储器的单元结构和原理.讨论了nMOS,pMOS和CMOS作为单元里的选中管的特点,综合考虑面积和功耗后,发现nMOS是选中管的最佳选择.设计了基于RTD的TSRAM系统结构.模拟显示了这种新型存储器具有高集成度、高速和低功耗的优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘立阳	清华大学微电子学研究所	20	173	5.0	13.0
2	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
3	程玥	清华大学微电子学研究所	3	20	2.0	3.0