多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件

• 作者: 张进城 郝跃 龚欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiCOI MESFET 多台阶介质槽隔离 击穿电压
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.01.015

摘要

用二维器件仿真软件MEDICI对SiCOI (SiC on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究,提出了一种新的SiCOI MESFET器件介质槽隔离结构,即多台阶介质槽隔离结构.研究结果表明,与单介质槽隔离SiCOI MESFET相比,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导.多台阶介质槽隔离SiCOI MESFET是一种兼顾高击穿电压和大电流的功率器件结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子所	312	1866	17.0	25.0
2	张进城	西安电子科技大学微电子所	52	301	9.0	14.0
3	龚欣	西安电子科技大学微电子所	7	19	2.0	4.0