高可靠性P-LDMOS研究

• 作者: 孙伟锋 孙智林 易扬波 陆生礼
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 沟道 峰值电场 热载流子效应
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1690-1694
• 页数: 5页
• 分类号: TN710
• 字数: 2572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.028

摘要

分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响,提出了两条沟道设计的原则--拉长沟道同时降低沟道浓度.模拟结果显示,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场,从而缓解沟道热载流子效应,提高P-LDMOS的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	105	634	13.0	19.0
2	孙智林	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	7	53	4.0	7.0
3	易扬波	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	11	64	5.0	7.0
4	陆生礼	东南大学国家专用集成电路系统工程研究中心	54	449	12.0	18.0