SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析

• 作者: 余金中 刘敬伟 王小龙 陈少武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元法 SOI热光开关 开关速度 功耗
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1324-1330
• 页数: 7页
• 分类号: TN256
• 字数: 4680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.026

摘要

利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所光电研发中心	110	703	13.0	21.0
2	陈少武	中国科学院半导体研究所光电研发中心	39	387	9.0	19.0
3	王小龙	中国科学院半导体研究所光电研发中心	21	122	5.0	10.0
4	刘敬伟	中国科学院半导体研究所光电研发中心	12	21	3.0	3.0