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摘要:
提出了一种基于北京大学硅玻璃键合深刻蚀释放工艺的扩展工艺,用来加工微型隧道加速度计.采用HP4145B半导体分析仪在大气环境下对所加工的器件进行了开环测试,验证了隧道电流的存在以及隧道间隙与隧道电流之间的指数关系.实验结果外推出的隧道势垒的范围为1.182~2.177eV.大部分器件的开启电压在14~16V之间.在-1,0和+1g三种状态下对开启电压分别进行了测试,得到加速度计的灵敏度约为87mV/g.
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文献信息
篇名 基于阳极键合干法刻蚀技术的MEMS隧道加速度计的加工及测试
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 隧道效应 加速度计 微机电系统
年,卷(期) 2004,(12) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1606-1611
页数 6页 分类号 TN304
字数 2277字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.012
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节点文献
隧道效应
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
eng
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