离子束外延制备GaAs:Gd薄膜

• 作者: 刘志凯 周剑平 宋书林 尹志岗 李艳丽 杨少延 陈诺夫
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs:Gd薄膜 低能离子束外延 GaAs衬底
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 336-337
• 页数: 2页
• 分类号: TN304.7|TN304.054
• 字数: 1658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.03.025

摘要

室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.