单晶硅上电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应

• 作者: 姚素薇 张卫国 董大为 赵瑾
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: Cu/Co纳米多层膜 巨磁电阻 电沉积
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 表面与界面工程
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: TQ14
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-1157.2004.03.020

摘要

采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜,调制波长从200 nm到5 nm不等.用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征.采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻(GMR)效应,研究了GMR与调制波长(λ)、铜的子层厚度(δCu)的关系:λ较大时,没有观察到明显的GMR效应;λ＜30 nm时,GMR效应随λ减小而增大;而λ＜8 nm时,GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫国	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	137	1608	22.0	33.0
2	姚素薇	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	159	2047	26.0	36.0
3	赵瑾	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	25	298	9.0	17.0
4	董大为	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	5	67	4.0	5.0