不同HALO掺杂剂量的超薄栅pMOSFET的退化

• 作者: 胡靖 许铭真 谭长华 赵要
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子 pMOS器件 HALO结构 退化
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1097-1103
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 1975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.010

摘要

研究了热载流子应力下栅厚为2.1nm,栅长为0.135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HALO掺杂剂量的改变不敏感,但是器件的线性漏电流、饱和漏电流、最大跨导的退化随着HALO掺杂剂量的增加而增加.实验同时发现,器件参数的退化不仅与载流子迁移率的退化、漏串联电阻增大有关,而且与阈值电压的退化和应力前阈值电压有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学系	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学系	52	102	5.0	7.0
3	赵要	北京大学微电子学系	7	17	1.0	4.0
4	胡靖	北京大学微电子学系	7	17	1.0	4.0