4H-SiC功率MESFET的击穿特性

• 作者: 吕红亮 张义门 张玉明 杨林安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 击穿特性 金属半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1132-1136
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.017

摘要

研究了4H-SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑了栅极偏置、自热效应等因素对击穿的影响.采用准静态方法,求解瞬态偏微分方程组,分析了器件的耐热耐压性能和可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子所	17	95	6.0	9.0
3	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
4	吕红亮	西安电子科技大学微电子所	18	88	5.0	9.0