负偏压在碳纳米管生长过程中的作用研究

• 作者: 严辉 张兵 朱满康 王必本 王波
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 负偏压 热丝CVD
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 纳米功能材料及其应用
• 页码范围: 2866-2869
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.802

摘要

利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFc的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压对NiFe层的裂解和碳纳米管的生长都有很大的影响.本文详细分析和讨论了负偏压在碳纳米管生长过程中的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严辉	北京工业大学薄膜材料实验室	178	1225	16.0	29.0
2	王必本	北京工业大学应用数理学院	28	76	5.0	6.0
6	张兵	北京工业大学应用数理学院	23	79	5.0	7.0
7	王波	北京工业大学薄膜材料实验室	80	638	11.0	23.0
8	朱满康	北京工业大学薄膜材料实验室	73	372	11.0	15.0