Si基MOCVD生长AlN深陷阱中心研究

• 作者: 叶建东 周春红 孔月婵 张荣 施毅 江若琏 沈波 邓咏桢 郑有炓 陈鹏 韩平 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si基AlN 深陷阱中心 PL谱
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1109-1113
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.012

摘要

通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或Al间隙原子)能级峰位靠近重合共同引起的,Et2、Et3都是由于衬底Si原子扩散到AlN引起的.在Si浓度较低时,Si主要以取代Al原子的方式存在,产生深陷阱中心Et2.Si浓度高于某个临界浓度时,部分Si原子以取代N原子位置的方式存在,形成深陷阱中心Et3.实验还表明,即使经高温长时间退火,AlN中Et1和Et2两个深陷阱中心也是稳定的.