Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的Raman研究

• 作者: 党学明 冯叶 刘洪图 左健 徐传明 徐军 杨晓杰 许小亮 黄文浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In,Ga)3Se5 有序缺陷化合物 晶格振动 Raman散射
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1423-1427
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.014

摘要

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与CuGa3Se5 A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动.