CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能

• 作者: 李佐宜 李震 杨晓非 林更琪 游龙
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 玻璃盘基 磁记录介质 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 磁功能材料及其应用
• 页码范围: 767-769
• 页数: 3页
• 分类号: TM21
• 字数: 2216字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.214

摘要

采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明:此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李震	华中科技大学电子科学与技术系	139	769	14.0	21.0
2	杨晓非	华中科技大学电子科学与技术系	69	652	12.0	24.0
3	林更琪	华中科技大学电子科学与技术系	26	85	4.0	7.0
4	李佐宜	华中科技大学电子科学与技术系	59	267	7.0	13.0
5	游龙	华中科技大学电子科学与技术系	7	20	3.0	4.0