电子束蒸发制备HfO2高k薄膜的结构特性

• 作者: 徐闰 王印月 蒋最敏 阎志军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k薄膜 HfO2 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2771-2774
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.064

摘要

使用高真空电子束蒸发在p型Si(100)衬底上制备了高kHfO2薄膜.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比;x射线衍射测量表明刚沉积的薄膜是近非晶的,高温退火后发生部分晶化;原子力显微镜和扫描电子显微镜检测显示在高温退火前后薄膜均具有相当平整的表面,表明薄膜具有优良的热稳定性;椭偏测得在600 nm处薄膜折射率为2.09;电容-电压测试得到的薄膜介电常数为19.这些特性表明高真空电子束蒸发是一种很有希望的制备作为栅介质的HfO2薄膜的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
2	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0
3	阎志军	兰州大学物理系	4	45	3.0	4.0
4	徐闰	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	20	1.0	2.0