1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计

• 作者: 姚飞 成步文
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF电路 低噪声放大器 CMOS 螺旋电感
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1291-1295
• 页数: 5页
• 分类号: TN722
• 字数: 2381字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.019

摘要

从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成步文	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	41	185	8.0	10.0
2	姚飞	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	16	70	6.0	7.0