晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响

• 作者: 刘训春 孙海峰 石瑞英 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaP/GaAs HBT晶向效应 直流电流增益 截止频率 压电效应 侧向腐蚀
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 446-449
• 页数: 4页
• 分类号: TN303|TN385
• 字数: 2308字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.017

摘要

在对InGaP/GaAs HBT特性的研究中发现,发射极长边与主对准边垂直([011]方向)和平行([01 1]方向)放置时,其直流电流增益和截止频率是不同的.[011]方向的直流电流增益远远大于[01 1]方向,而它的截止频率则略小于[01 1]方向.文献中认为电流增益的不同是压电效应产生的,但这种观点并不能很好地解释截止频率的晶向依赖性.文中用压电效应和两个互相垂直方向上发射区侧向腐蚀形状的不同很好地解释了所有实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石瑞英	四川大学物理系	28	141	7.0	11.0
5	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
6	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
7	袁志鹏	中国科学院微电子中心	11	33	3.0	5.0