三星成功开发8Gbit闪存

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 闪存 移动设备 领先地位 关键技术 三星电子 半导体制造 芯片 存储空间 容量 工艺
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 页码范围: 69-69
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

据《参考消息》2004年9月22日报道,韩国三星电子宣布,该公司在一项关键技术上取得了突破,将使计算机及像MP3播放器这样的移动设备获得更大的存储空间和更快的处理速度。这家在全球居领先地位的半导体制造商说,它开发出该行业的第一种采用60 nm工艺,容量为8Gbit的NAND闪存芯片。lnm相当于十亿分之一米。这种闪存芯片可以存储16小时DVD的音像数据,或4000个MP3声音文件。