杂质对单晶硅材料硬度的作用

• 作者: 李东升 杨德仁 阙端麟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硬度 杂质 硅单晶 晶向
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 798-803
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 4142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.011

摘要

室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响.实验发现,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性--晶向有关,还与所掺入杂质的种类和浓度有关.损伤造成的裂纹倾向于沿着〈110〉晶向扩展,而且{111}面上的硬度要大于{100}面.重掺n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降;相反,重掺p型和掺氮单晶的硬度则由于掺入原子对位错的钉扎作用加强而有所提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0