用于n,γ混合场的新型脉冲中子探测器研究

• 作者: 宋献才 朱学彬 李林波 杨洪琼 杨高照
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅半导体 差分补偿 脉冲中子探测器 n,γ混合场
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 3321-3325
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.015

摘要

新型脉冲中子探测器采用特殊工艺将两个PIN半导体组合而成.利用脉冲γ辐射源研究了探测器对γ的响应;利用脉冲中子源研究了探测器对DT中子的响应,并与闪烁探测器进行了比较.结果表明:脉冲中子探测器对脉冲γ辐射基本不灵敏,对脉冲中子辐射的灵敏程度依赖于中子辐射体,是一种用于n,γ混合脉冲辐射场中子测量的新型探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李林波	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	14	23	3.0	3.0
2	朱学彬	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	13	20	3.0	4.0
3	杨高照	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	22	28	3.0	4.0
4	杨洪琼	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	4	12	3.0	3.0
5	宋献才	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	21	3.0	4.0