直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性

• 作者: 叶志镇 吕建国 曾昱嘉 朱丽萍 袁国栋 赵炳辉 钱庆 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al,N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 668-673
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 3775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.010

摘要

报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,N来自NH3与O2的生长气氛,Al来自ZnxAl1-x(x=0.9)靶材.利用XRD,AFM,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究.结果表明,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向,450℃、600℃分别实现了p型转变,电阻率为102～103Ω*cm,载流子浓度为1015～1016cm-3,迁移率为0.5～1.32cm2/(V*s).薄膜中Al原子促进了N原子的掺入.实验还表明,p-ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率(约为90%),室温下光学带宽为3.28eV.而在450℃生长的p-ZnO具有较小的晶粒度和表面粗糙度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
6	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0
7	袁国栋	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	59	5.0	7.0
8	钱庆	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	20	1.0	3.0