MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响

• 作者: 吴越颖 张文理 王青 胡跃辉 阴生毅 陈光华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁场梯度 洛伦兹拟合 a-Si∶H薄膜 沉积速率 MWECR CVD沉积系统
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 613-619
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 1071字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.001

摘要

为了定量地得到磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响,对单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度.结果表明,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A时其衬底附近磁场梯度值最大,样品台下面无钐钴永磁时,磁场线圈电流分别为137.7A和115.2A的磁场梯度值依次为次之和最小.制备a-Si∶H薄膜时,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率.通过红外吸收谱技术分析,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A下能得到最大的沉积速率,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光华	北京工业大学材料学院	65	396	11.0	16.0
2	胡跃辉	北京工业大学材料学院	8	34	4.0	5.0
3	阴生毅	北京工业大学材料学院	9	34	3.0	5.0
4	吴越颖	北京工业大学材料学院	4	23	3.0	4.0
5	王青	北京工业大学材料学院	9	103	4.0	9.0
6	张文理	北京工业大学材料学院	3	12	3.0	3.0