快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响

• 作者: 亢勇 方家熊 李向阳 李雪 陈江峰 龚海梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 俄歇能谱深度分布 欧姆接触 势垒高度 隧穿电流
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1442-1446
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 1680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.018

摘要

利用伏安特性和俄歇能谱深度分布研究了快速热退火对Ti/Al-GaN接触的影响,氮气中600℃退火60s可以获得欧姆接触.实验结果表明,退火温度的升高导致N元素向表面扩散和界面反应的发生.N空位的产生形成了重掺杂的界面,有利于电流的隧穿,界面处Al,Ti,Ga,N三元系或四元系反应产物起到降低Ti/GaN接触的势垒作用.较高温度退火形成的欧姆接触是势垒高度降低和隧穿电流机制共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚海梅	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	69	451	10.0	18.0
2	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
3	方家熊		39	184	7.0	11.0
9	李雪	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	465	12.0	19.0
10	陈江峰	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	64	1561	23.0	37.0
11	亢勇	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	8	45	5.0	6.0