单晶硅衬底材料中的消光衍射

• 作者: 冯良桓 朱居木 李卫 黄代绘
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基材料 Si(200)衍射 Si(222)衍射
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1269-1272
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.014

摘要

在经典衍射理论中,Si(200),Si(222)等4n+2面的反射是消光的,但在单晶硅或硅基材料中,常发现Si(200),Si(222)的衍射.考虑非谐效应和电子云反对称分布的贡献,分别计算了Si(200),Si(222)消光衍射的相对强度,并用XRD测试手段进行了验证.结果表明,理论与实验值基本符合.在室温下,Si(200),Si(222)衍射主要是因为反对称的电子云分布所致.同时,强调了Si(200),Si(222)衍射在XRD分析中的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学与工程学院	78	424	10.0	17.0
2	黄代绘	西南交通大学理学院	12	36	3.0	5.0
3	李卫	四川大学材料科学与工程学院	56	193	7.0	12.0
4	朱居木	四川大学材料科学与工程学院	9	103	5.0	9.0