AlInAs氧化物限制1.3μm低阈值边发射激光器

• 作者: 丁颖 刘志宏 周帆 朱洪亮 王书荣 王圩 王鲁峰 赵玲娟
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlInAs氧化物限制 脊波导 边发射 激光器
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 620-625
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 691字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.06.002

摘要

研究制作了一种利用AlInAs氧化物作为限制的1.3μm边发射AlGaInAs多量子阱激光器.有源层上方和下方的AlInAs波导层被氧化作为电流限制层.这种结构提供了良好的侧向电流限制和光场限制.当电流通道为5μm宽时,获得了12.9mA的阈值电流和0.47W/A的斜率效率.与具有相同宽度的脊条的脊波导结构的激光器相比,这种AlInAs氧化物限制的激光器的阈值电流降低了31.7%,斜率效率稍微有所提高.低阈值和高效率的特性表明,氧化AlInAs波导层能够提供良好的侧向电流限制.这种AlInAs氧化物限制的激光器垂直方向的远场半高全宽角为36.1°,而水平方向的是21.6°,表明AlInAs氧化物对侧向光场也有很强的限制能力.