直拉硅单晶中位错的光致发光

• 作者: S.Pizzini 李东升 杨德仁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 位错 氧沉淀 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1104-1108
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3324字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.011

摘要

利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光.实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于107cm-2时,位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰;而位错密度较低时,光谱中没有出现D1发光峰.而对于掺氮直拉硅单晶中的位错,其发光光谱在0.75～0.85eV范围内均出现了与低位错密度普通直拉硅单晶相同的较宽的谱峰.而且当含氮直拉硅单晶中位错密度高于107cm-2时,在0.75～0.85eV范围内则出现了明显的与原生氧沉淀相关的发光峰.可以认为硅单晶生长过程中引入的位错的发光特性是与位错生成过程中加速了氧沉淀的生成速度以及氮杂质的存在促进氧沉淀生成相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0