(Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究

• 作者: 周孝好 孙沿林 孙立忠 郭旭光 陆卫 陈效双
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 (Ga Mn)As 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1516-1519
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2530字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.045

摘要

用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变.Mn分布无序使空穴的局域性加强.总能计算结果表明(Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆卫	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	95	442	12.0	16.0
2	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	271	8.0	12.0
3	郭旭光	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	13	71	5.0	8.0
4	孙立忠	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	11	48	5.0	6.0
5	周孝好	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	9	44	4.0	6.0
6	孙沿林	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	4	27	3.0	4.0