TDM系统高速CMOS单片集成复用/解复用器的研究

• 作者: 朱恩 沈桢 王志功 赵文虎
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复用器 解复用器 CMOS工艺 集成电路
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 825-829
• 页数: 5页
• 分类号: TN929
• 字数: 4038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2004.05.028

摘要

本文分析了TDM系统中复用器和解复用器的电路结构,通过比较各种结构之间的优缺点和应用特点,提出了10Gb/s速率工作的复用和解复用器结构及其内部所应采用的电路.进而,本文着重研究了系统中关键的同步电路,给出了具体的设计和优化方法.采用TSMC 0.25 μm CMOS 工艺,本文制作了四种不同的同步触发器并对其性能进行了比较,其中双预充电TSPC触发器可工作在4GHz.以此为基础,本文还设计了半静态结构工作在1.25Gb/s速率的10:1复用器、1∶10解复用器以及TSPC结构工作在1.5625Gb/s速率的5∶1复用器和CML结构工作在10Gb/s速率的1∶4解复用器,通过在晶片测试,其结果表明电路功能正确、工作稳定,达到了设计要求,证明了本文提出的设计方法的可行性和正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	朱恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	64	419	9.0	16.0
3	赵文虎	东南大学射频与光电集成电路研究所	11	113	6.0	10.0
4	沈桢	东南大学射频与光电集成电路研究所	3	5	1.0	2.0