SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

• 作者: 冯倩 刘玉龙 张晓菊 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN:Mg 异质外延 扫描电子显微镜 拉曼散射 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 626-630
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.055

摘要

利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN:Mg薄膜特性进行研究发现:除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外,大部分Mg原子以间隙原子状态(Mgi)存在,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度,致使薄膜质量变差;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主-浅受主)复合引起,其中D为MgGaVN,A为MgGa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	张晓菊	西安电子科技大学微电子研究所	11	35	4.0	5.0
3	冯倩	西安电子科技大学技术物理学院	35	224	7.0	13.0
7	刘玉龙	中国科学院物理研究所光学开放实验室	33	308	9.0	17.0