MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

• 作者: 周怀恩 朱秀红 胡跃辉 陈光华 马占杰 高卓
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 氢化非晶硅薄膜 暗电导激活能 光敏性
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光功能材料及其应用
• 页码范围: 432-433
• 页数: 2页
• 分类号: O484.4
• 字数: 1168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.109

摘要

通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光华	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	65	396	11.0	16.0
2	胡跃辉	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	8	34	4.0	5.0
3	高卓	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	2	13	2.0	2.0
4	朱秀红	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	8	42	4.0	6.0
5	周怀恩	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	3	9	2.0	3.0
6	马占杰	北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0