微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

• 作者: 储佳 徐进 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直拉硅 透射电镜 氧化诱生层错
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 550-554
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2113字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.041

摘要

利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮(NCZ)和不含氮(CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷.研究表明,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿氧氧化时间的延长而减小,并有冲出型位错产生.而在CZ中,生成了大量的多面体氧沉淀,并且随着热氧化时间的延长,层错的尺寸逐渐增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	徐进	浙江大学硅材料国家重点实验室	43	501	10.0	21.0
5	储佳	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	66	3.0	5.0