在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级

• 作者: 冉广照 刘鸿飞 张晓岚 陈开茅 陈源
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C70 深能级 恒温电容瞬态
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3498-3503
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 5192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.10.049

摘要

发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱,H1和H2,它们的能级位置分别为Ev+0.856 eV和Ev+1.037 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈源	北京大学物理学院	12	78	4.0	8.0
2	冉广照	北京大学物理学院	10	19	2.0	4.0
3	陈开茅	北京大学物理学院	6	3	1.0	1.0
4	张晓岚	福州大学电子科学与应用物理系	1	0	0.0	0.0
5	刘鸿飞		1	0	0.0	0.0